본문 바로가기

전체 글95

SK하이닉스의 생산량 40%, 미국장비 규제, 글로벌메모리 SK하이닉스 우시 공장은 글로벌 반도체 업계에서 거대한 규모를 자랑하며, 회사 DRAM 생산량의 무려 40%를 차지하고 전 세계 메모리 공급량의 13%를 실질적으로 좌우하고 있습니다. 그러나 이 생산 요충지는 현재 강화되는 미국의 수출 규제라는 보이지 않는 장벽에 직면해 있습니다. 극자외선(EUV) 리소그래피 장비에 대한 규제로 인해 '기술적 한계'가 생기면서 SK하이닉스는 전례 없는 전략적 딜레마에 직면해 있습니다. 미래를 위해 설계된 시설이 이제 법적으로 과거에 묶여 있게 된 것입니다. '한국산 첨단 메모리'와 '중국산 구형 메모리' 간의 격차가 심화함에 따라, 우시 공장은 최첨단 노드 개발의 선두 주자에서 DDR4와 같은 성숙 공정 생산 기지로의 전환을 강요받고 있습니다. 본 분석에서는 이러한 강제.. 2026. 1. 17.
SK하이닉스의 PCIe 4.0, PS5 SSD, 발열 내구성 PCIe 4.0 시장 지배권을 놓고 벌이는 경쟁에서 대부분의 제조사는 열 안정성을 희생하면서까지 최고 속도에 집중해 왔으며, 성능 저하를 막기 위해 부피가 큰 방열판을 사용하는 경우가 많았습니다. SK 하이닉스는 자사의 독자적인 "Aries" 컨트롤러와 업계 최초의 176단 4D NAND 플래시 메모리를 활용한 Platinum P41 드라이브를 통해 이러한 "뜨거울수록 빠르다"라는 기존의 패러다임을 근본적으로 바꾸어 놓았습니다. 이러한 아키텍처적 시너지 효과 덕분에 P41은 경쟁 제품보다 전력 소비량을 크게 줄이면서도 7,000MB/s의 읽기 속도로 Gen4 인터페이스를 최대한 활용할 수 있어, 발열 제약이 있는 PlayStation 5의 확장 슬롯이 이상적인 "드롭인" 솔루션입니다. 장시간 게임 플레이.. 2026. 1. 16.
SK하이닉스의 테라급 전송 속도, CPO, 미래 인터페이스 인공지능 모델이 수조 개의 매개변수로 확장됨에 따라 반도체 업계는 물리적 한계, 즉 구리선의 전기 저항에 직면하고 있습니다. 기존 데이터 센터에서 HBM과 GPU 간에 테라바이트 규모의 데이터를 전기 신호를 통해 전송하는 과정에서 막대한 열과 지연이 발생하여 어떤 냉각 기술로도 해결할 수 없는 병목 현상이 나타납니다. SK하이닉스는 실리콘 포토닉스와 CPO(Co-Packaged Optics) 기술을 개척하여 데이터 전송 매체를 전자에서 광자를 근본적으로 변화시킴으로써 이러한 장벽을 허물고 있습니다. 광학 I/O를 메모리 패키지에 직접 통합함으로써 SK하이닉스는 전기 인터페이스에 필요한 전력의 극히 일부만으로도 테라바이트/초(Tbps) 수준의 전송 속도를 구현하는 것을 목표로 하고 있습니다. 이러한 "광-.. 2026. 1. 16.
SK하이닉스의 폰 노이만, AiM 가속기, AI 엣지 컴퓨팅 70년이 넘는 세월 동안 전 세계 컴퓨팅 표준은 프로세서와 메모리가 물리적으로 분리된 폰 노이만 아키텍처로 정의되어 왔으며, 이에 따라 "데이터 병목 현상"으로 알려진 심각한 트래픽 정체가 발생했습니다. 생성형 AI 시대에 접어들면서, GPU와 DRAM 간의 수십억 개의 파라미터 이동은 시스템 전체 에너지의 최대 80%를 소모하는 심각한 문제로 대두되었습니다. SK 하이닉스는 연산 로직을 메모리 다이에 직접 내장한 혁신적인 AiM(Accelerator-in-Memory) 기술, 특히 GDDR6-AiM을 통해 이러한 기존의 제약을 해소하고자 합니다. SK하이닉스는 데이터를 멀리 떨어진 프로세서로 전송하는 대신 데이터가 있는 곳에서 직접 처리함으로써 AI 추론 성능을 10배 향상하고 전력 소비를 80% 절감.. 2026. 1. 15.
SK하이닉스의 자성 메모리, 상변화 물질, 뉴로모픽 전 세계 반도체 산업이 물리적인 "메모리 한계"에 부딪히면서, 빠르지만 휘발성이 강한 DRAM과 느리지만 영구적인 NAND 플래시라는 기존의 이분법적 방식만으로는 하이퍼스케일 AI의 폭발적인 데이터 수요를 맞추기에 더 이상 충분하지 않습니다. 이러한 중요한 공백을 메우기 위해 SK하이닉스는 차세대 기술인 MRAM(자기 메모리), PRAM(상변화 메모리), ReRAM(저항 메모리)을 기반으로 하는 혁신적인 "스토리지 클래스 메모리(SCM)" 레이어를 개발하고 있습니다. 속도와 데이터 보존 기간 사이의 절충이 불가피했던 기존 메모리와 달리, 이러한 혁신 기술은 두 가지 장점을 모두 제공하여 실시간 처리에 필요한 DRAM에 가까운 지연 시간과 플래시 스토리지의 비휘발성을 동시에 실현합니다. 더 나아가, 이 로.. 2026. 1. 15.
SK하이닉스의 Tbps급 초광대역폭, AI 기반 커뮤니케이션, LPDDR 세계가 6G 혁명의 문턱에 서 있는 가운데, 반도체 업계는 현재의 물리적 한계를 뛰어넘는 도전에 직면해 있습니다. 바로 테라비트/초(Tbps) 수준의 데이터 전송 속도를 처리하는 것입니다. 6G는 단순히 5G의 업그레이드가 아닙니다. 인공지능이 통신 인프라 자체에 내재되어 실시간으로 주파수 자원과 지연 시간을 최적화하는 "AI 네이티브" 네트워크의 탄생을 의미합니다. 이러한 초연결 생태계에서는 병목 현상이 전파에서 메모리 버퍼로 이동합니다. SK하이닉스는 모바일 및 엣지 컴퓨팅 메모리의 표준을 재정의함으로써 이러한 문제에 과감하게 대응하고 있습니다. 홀로그램 통신과 디지털 트윈의 막대한 데이터 처리량을 수용하기 위해 LPDDR 대역폭의 한계를 뛰어넘고, 연산 로직을 메모리 서브 시스템에 직접 통합함으로써.. 2026. 1. 14.

티스토리툴바