분류 전체보기46 SK하이닉스의 4비트 스토리지 QLC, 4D NAND 플래시, 321층 기술 생성형 AI와 하이퍼스케일 클라우드 컴퓨팅에 힘입어 전 세계 데이터 공간이 폭발적으로 증가하면서 반도체 엔지니어링은 "수직 고밀도"라는 새로운 도전에 직면하게 되었습니다. SK 하이닉스는 이러한 실존적 위기에 대응하여 QLC(쿼드 레벨 셀)의 전자적 복잡성, 4D NAND의 구조적 효율성, 그리고 아찔한 321층 적층 구조라는 세 가지 기술적 혁신을 하나의 생산 현실로 구현해 냈습니다. 이 분석에서는 SK 하이닉스의 독자적인 "페리 언더 셀(PUC)" 아키텍처, 즉 4D NAND 기술을 자세히 살펴볼 것입니다. 이 기술은 마치 고층 빌딩 아래에 주차장을 건설하여 주거 공간을 극대화하는 것처럼, 로직 회로를 메모리 어레이 아래에 숨겨 칩의 크기를 근본적으로 재구상합니다. 더 나아가, QLC에서 단일 전자 .. 2026. 1. 1. SK하이닉스의 HBM 생산 핵심 M16, EUV 전용 라인, TSV 기술 현대 반도체 산업의 지형에서 이천의 M16 팹은 단순한 공장이 아니라 전략적 우위를 확보하기 위한 요새이며, SK 하이닉스가 건설한 단일 건물 중 가장 큰 규모로, AI 시대의 '모공장' 역할이 하도록 특별히 설계되었습니다. 업계가 HBM3E의 최종 제품에만 집중하는 동안, 진정한 경이로움은 이 건물 안에 구현된 제조 3대 핵심 기술, 즉 빛의 파장을 이용하여 회로를 그리는 EUV(극자외선) 리소그래피와 2차원 공간의 물리적 한계를 뛰어넘는 TSV(실리콘 관통 비아) 기술의 융합에 있습니다. 이 글에서는 M16이 어떻게 "10나노미터급"(1a/1b) 공정 노드를 완성하고, 평평한 실리콘 웨이퍼를 거대한 "3D 메모리 마천루"로 변모시키는 용광로 역할을 하는지 분석해 보겠습니다. 우리는 전용 EUV 라인의.. 2026. 1. 1. SK하이닉스의 스로틀링 범위, 노트북 방열판, P41과 990 PRO 고성능 NVMe 스토리지 분야에서 제품 상자에 표기된 마케팅 수치는 종종 불편한 진실을 숨기고 있습니다. 광고에서 제시하는 7,000MB/s의 순차 읽기 속도는 물리 법칙의 한계에 부딪히기 전 순간적으로 나타나는 엄청난 속도일 뿐입니다. 널리 "4세대 하드디스크 드라이브의 왕"으로 불리는 SK 하이닉스 플래티넘 P41도 이러한 열역학적 현실에서 벗어나지 못합니다. 엄청난 성능을 자랑하는 이 하드디스크 드라이브는 상당한 "열 부담"을 수반하며, 제대로 관리하지 않으면 성능 저하를 초래할 수 있습니다. 이 분석은 표준 벤치마크 점수를 넘어 "스로틀링 영역"의 정확한 좌표를 파악합니다. 스로틀링 영역은 Aries 컨트롤러가 실리콘 열화를 방지하기 위해 의도적으로 전압을 낮추는 임계 온도 구간입니다. 공기 흐름.. 2025. 12. 31. SK하이닉스의 듀얼 TC 본더, 엔비디아 공급망, 기술적 혁신 인공지능 혁명에 대한 세계적인 담론은 흔히 ChatGPT의 소프트웨어 기능이나 NVIDIA의 Blackwell GPU의 연산 능력으로 축소되곤 합니다. 그러나 이러한 패러다임 전환의 물리적 실체는 SK 하이닉스의 클린룸 깊숙한 곳에서 이루어지는 단 하나의 초정밀 제조 공정에 전적으로 달려 있습니다. 이 중요한 병목 현상은 SK 하이닉스의 HBM3E 시장 지배력의 핵심 역할을 하는 메커트로닉스 기술인 "듀얼 TC 본더"(열압축 본더)에 의해 제어됩니다. 이 기술은 한미반도체에서 독점 공급합니다. 기존의 접합 방식과 달리, 이 장비는 MR-MUF 공정에 필요한 12층 및 16층 메모리 다이를 빠르고 정밀하게 적층할 수 있게 하여, 지적 재산권보다는 운동학적 우위를 점하는 "기술적 해자"를 구축합니다. 이 분.. 2025. 12. 31. SK하이닉스의 MRMUF 기술, 적층형 기술 TSV, 수율과 넷 다이 SK하이닉스가 글로벌 AI 메모리 시장에서 폭발적인 성장을 거듭하며 정상에 오른 것은 단순한 행운이 아니라, 패키징 철학의 근본적인 변화, 특히 업계 표준 필름 방식 대신 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 방식을 채택한 결과입니다. 전 세계가 HBM의 순수한 용량에만 집중하는 동안, 진정한 공학적 경이로움은 이러한 다층 실리콘 초고층 구조물이 자체 열 무게를 견디지 못하고 무너지지 않고 물리적으로 어떻게 건설되는지에 있습니다. 이 심층 분석에서는 데이터를 전송하기 위해 다이를 수직으로 관통하는 미세한 통로인 TSV(Through-Silicon Via)와 이를 감싸는 독자적인 MR-MUF 액체 소재 간의 공생 관계를 살펴봅니다. 이 소재는 열 방출 및 압력 변형이라는 두 가.. 2025. 12. 30. SK하이닉스의 0% 불량률, AI 모니터링 스마트 제조 시설, TSV 검사 기술 미세한 먼지 입자 하나가 슈퍼컴퓨터를 마비시킬 수 있는 현대 반도체 제조의 가혹한 물리적 환경에서 "무결점" 달성은 단순한 제조 목표가 아니라 AI 생태계의 생존을 위한 수학적 필수 조건입니다. SK하이닉스는 기존의 후반 작업 검수를 넘어 품질 관리 개념을 근본적으로 재정의하여, 수백만 개의 센서가 중앙 집중식 AI 두뇌에 데이터를 전달하고, 이 두뇌가 물리적 이상 징후가 나타나기 전에 이를 예측하는 "인지형 스마트 팹" 아키텍처를 구축했습니다. 이러한 변화는 특히 HBM(고대역폭 메모리) 생산 분야에서 가장 중요한데, 수천 개의 TSV(Through-Silicon Via)를 통해 12개 이상의 DRAM 다이를 수직으로 적층하는 과정에서 "복합 수율 위험"이 매우 높아 표준검사 방법이 무용지물이 되기 때.. 2025. 12. 30. 이전 1 2 3 4 ··· 8 다음
