전체 글147 SK하이닉스 4D NAND 기술, PUC 구조 생산성 극대화, 트리플 스택 프로세스 반도체 업계는 지난 10년 동안 수직 구조에 집착하여 메모리 셀을 고층 빌딩의 층처럼 쌓아 올려 3D NAND를 만들어왔습니다. 하지만 물리적 한계에 도달했습니다. 타워가 높아짐에 따라 데이터를 관리하는 데 필요한 제어 회로인 "주변 로직"이 수평으로 계속 확장되어 저장 공간으로 사용되어야 할 귀중한 실리콘 영역을 차지하게 됩니다. SK하이닉스의 "4D NAND"는 이러한 비효율성을 해결하는 획기적인 아키텍처입니다. 메모리 셀 어레이 아래에 주변 회로를 물리적으로 접는 설계 방식(PUC, Periphery Under Cell)을 통해, 마치 공장 관리 사무실을 주차장이 아닌 지하에 짓는 것과 같은 효과를 내어, 이전에는 불가능하다고 여겨졌던 수준의 "순 다이 효율(Net Die Efficiency)"을 .. 2025. 12. 13. SK하이닉스 점유율 급증, DDR5 및 HBM 전략 추진, 중국메모리 기업 확장 수십 년간 반도체 산업을 지배해 온 '최대 생산 능력'이라는 불문율이 AI 혁명에 직면하여 빠르게 무너지고 있다. 수년간 DRAM 시장은 삼성전자가 주도해 왔으며, 이는 양적인 측면에서 예측 가능한 경쟁이었다. 그러나 SK하이닉스의 최근 시장 점유율 급증은 '양'에서 '가치'로의 근본적인 패러다임 전환을 시사한다. "언론 헤드라인은 HBM 전쟁에 집중되어 있지만, 실제로는 훨씬 더 복잡한 3중 전선의 싸움이 막후에서 벌어지고 있습니다. 최근의 차질로 큰 타격을 입은 삼성은 기술적 우위를 되찾기 위해 파운드리 및 DDR5 전략을 공격적으로 재조정하고 있습니다." 동시에, 막대한 국가 보조금을 등에 업은 중국의 혁신 메모리 기술(CXMT)이 기존 반도체 시장을 빠르게 잠식하면서, 조용하지만 강력한 폭풍이 아.. 2025. 12. 13. SK하이닉스의 HBM 기술, MR-MUF 프로세스의 비밀, HBM4 기술 로드맵 인공지능 생성이라는 경쟁이 치열한 분야에서, 이제는 GPU의 순수 속도가 아니라 GPU에 전력을 공급하는 메모리의 발열 및 대역폭 제약이 핵심적인 제약 요소가 되었습니다. SK하이닉스는 기존의 규칙을 따르는 것이 아니라, 실리콘 적층 방식의 물리적 원리를 재정립함으로써 이 분야에서 명실상부한 선두 주자로 자리매김했습니다. 이러한 지배력의 핵심에는 경쟁업체들이 고수해 왔던 업계 표준 필름 기술에서 과감하게 벗어난 독자적인 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 공정이 있습니다. 이 글에서는 SK 하이닉스가 어떻게 단순화된 에폭시를 주입하여 다른 어떤 회사보다 더 높고 시원하게 칩을 쌓을 수 있었는지, 그리고 이를 통해 인공지능 발전을 저해할 뻔했던 열 방출 문제를 어떻게 해결했는.. 2025. 12. 13. 이전 1 ··· 22 23 24 25 다음
