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SK하이닉스 iHBM 기술: AI 데이터센터 발열 문제를 잡는 원리: ICE 냉각 소자, D2D PHY 열 제어, 열저항 저감

by 뷰메모리 2026. 6. 9.

SK하이닉스가 공개한 iHBM 기술은 HBM 패키지 내부에 ICE 냉각 소자를 심어 발열이 가장 집중되는 D2D PHY 구간에 전용 열 배출 경로를 형성하는 방식으로 작동합니다. 이 구조적 접근은 열저항을 기존 대비 삼십 퍼센트 이상 낮추며, AI 데이터센터의 고온 고부하 환경에서도 메모리 시스템이 안정적으로 동작할 수 있는 기반을 만들어 줍니다.

SK하이닉스 iHBM 기술: AI 데이터센터 발열 문제를 잡는 원리: ICE 냉각 소자, D2D PHY 열 제어, 열저항 저감
SK하이닉스 iHBM 기술: AI 데이터센터 발열 문제를 잡는 원리: ICE 냉각 소자, D2D PHY 열 제어, 열저항 저감

ICE 냉각 소자의 구조와 작동 방식

SK하이닉스의 iHBM 기술에서 핵심을 담당하는 구성 요소는 ICE, 즉 일체형 냉각 소자입니다. ICE는 전기는 통하지 않으면서도 열을 빠르게 전달하는 실리콘 소재를 기반으로 만들어진 냉각 요소로, HBM 패키지 내부에 직접 내재되어 열이 외부로 빠져나갈 수 있는 전용 경로를 추가로 형성합니다. 기존의 HBM 구조에서는 내부에서 발생한 열이 코어 다이를 경유해 간접적으로 외부에 방출되는 방식을 사용했는데, 이 경우 열이 이동하는 경로가 길고 복잡해 발열이 특정 구간에 집중되는 병목 현상이 생겨났습니다. 이에 반해 iHBM은 열이 가장 집중적으로 발생하는 구간인 D2D PHY 영역 바로 안에 ICE를 배치해, 열원에서 가장 가까운 위치에서 즉각적으로 열을 외부로 유도하는 직접 방출 방식을 채택했습니다. 이는 마치 좁고 구불구불한 골목으로만 나갈 수 있던 열이, 전용 고속도로를 타고 곧바로 빠져나가는 것과 같은 원리입니다. 실리콘 소재를 선택한 이유는 반도체 공정과의 친화성이 높고 열 전도율을 안정적으로 유지할 수 있으며, 무엇보다 전기적으로 절연 특성을 지니고 있어 메모리 회로에 영향을 주지 않으면서 독립적인 열 방출 기능만을 수행할 수 있기 때문입니다. SK하이닉스는 이 ICE 소자를 기존 HBM 양산에 이미 사용하고 있는 어드밴스드 MR-MUF 기반의 웨이퍼 레벨 패키징 공정에 통합하는 방식으로 제조하고 있어, 새로운 설비 투자 없이도 대량 생산 안정성을 확보할 수 있다는 장점이 있습니다. 이는 기술적 완성도와 실제 양산 적용 가능성을 동시에 갖춘 설계로, 개발 단계의 기술이 아닌 즉시 상용화가 가능한 수준임을 의미합니다.

D2D PHY 발열 밀도 제어 기술의 의미

AI 가속기 시스템에서 HBM이 발열 문제를 일으키는 근본 원인을 이해하려면, HBM과 GPU 사이를 연결하는 물리적 통로인 D2D PHY 구간의 역할을 먼저 파악해야 합니다. D2D PHY는 HBM의 베이스 다이와 AI 가속 칩 사이에서 초고속 데이터 통신을 담당하는 연결부로, 수천 개에 달하는 마이크로 범프를 통해 방대한 양의 신호가 동시에 오가는 구간입니다. 이처럼 고밀도 신호 교환이 집중되는 특성상 단위 면적당 발생하는 열의 양, 즉 발열 밀도가 HBM 내 다른 어떤 영역보다 높게 나타납니다. HBM의 적층 단수가 늘어나고 동작 속도가 빨라질수록 이 D2D PHY 구간의 발열 밀도는 기하급수적으로 증가하는 구조여서, 이를 얼마나 효과적으로 제어하느냐가 차세대 HBM의 기술 경쟁력을 결정짓는 핵심 과제로 떠오르고 있습니다. iHBM 기술은 바로 이 문제를 구조적으로 해결하기 위해 설계되었습니다. 발열이 집중되는 D2D PHY 영역에 ICE를 직접 내장함으로써 열원이 생성되는 바로 그 지점에서 열을 외부로 끌어내는 국소 냉각 방식을 구현했습니다. 이 방식은 전체 패키지 온도를 균일하게 낮추는 것을 목표로 하기보다, 가장 문제가 되는 핫스팟을 정밀하게 겨냥해 집중 냉각하는 전략으로, 냉각 효율을 극대화하면서도 패키지 크기나 외형에 대한 제약을 최소화합니다. 결과적으로 D2D PHY 구간의 발열 밀도를 효과적으로 억제함으로써 HBM 전체 시스템이 더 높은 성능으로 더 오랜 시간 안정적으로 동작할 수 있는 물리적 조건을 만들어 냅니다.

열저항 저감이 AI 데이터센터에 미치는 영향

iHBM 기술이 실현하는 열저항 삼십 퍼센트 이상 저감이라는 수치는 단순한 반도체 성능 지표 개선에 그치지 않고, AI 데이터센터 전체 운영 효율에 연쇄적인 긍정적 영향을 미칩니다. 열저항이 낮다는 것은 같은 양의 열이 발생하더라도 칩 내부 온도가 더 낮게 유지된다는 의미이며, 이는 곧 메모리 칩이 더 높은 부하 조건에서도 설계 허용 온도 범위 안에서 안정적으로 동작할 수 있음을 뜻합니다. AI 데이터센터에서는 수백 개에서 수천 개의 GPU 모듈이 밀집된 환경에서 수십 시간 이상 연속적으로 대규모 연산을 수행하는 경우가 일반적입니다. 이 같은 고온 고부하 상황에서 메모리의 열 관리가 충분하지 않으면 성능을 강제로 낮추는 열 조절 작동이 개입되어 전체 시스템의 연산 처리량이 떨어지거나, 더 심한 경우 하드웨어 수명 단축과 오동작으로 이어질 수 있습니다. iHBM이 열저항을 대폭 낮춤으로써 이러한 열 조절 개입 빈도를 줄이고 메모리가 설계 최대 성능에 가까운 상태를 더 오래 유지할 수 있게 됩니다. 또한 서버 설계 관점에서도 iHBM의 열 관리 개선은 외부 냉각 시스템에 대한 의존도를 낮출 수 있어, 데이터센터 전력 소비의 상당 부분을 차지하는 냉각 설비 운영 비용을 절감하는 데 기여합니다. SK하이닉스는 이 기술을 HBM5 등 차세대 제품부터 본격 적용할 계획이며, 기존 시스템인패키지 환경과의 높은 호환성 덕분에 고객사의 설계 변경 부담 없이 도입할 수 있다는 점도 실질적인 경쟁 우위로 작용할 것입니다.